จุดทางเทคนิคของไฟไฮเบย์ LED
เนื่องจากการสร้างความร้อนขนาดใหญ่ของไฟไฮเบย์ LED คุณภาพของไฟไฮเบย์ LED จึงมีข้อจำกัดอย่างมาก เนื่องจากอุณหภูมิสูงเร่งอายุชิป การสลายตัวของแสง การเปลี่ยนสี และทำให้อายุการใช้งานของไฟไฮเบย์ LED สั้นลง เพื่อจัดการกับปัญหานี้ จำเป็นต้องอุ่นความร้อนอีกครั้งและเพิ่มประสิทธิภาพการส่องสว่างของไฟ LED ไฮเบย์ ปัจจุบันยังคงมีวิธีการเพิ่มประสิทธิภาพการส่องสว่างของไฟ LED ไฮเบย์ ปัจจุบัน เราสามารถพึ่งพาองค์ประกอบต่อไปนี้ในการปรับปรุงคุณภาพของไฟไฮเบย์ LED ได้เท่านั้น
1. ใช้วิธีการแบบแยกส่วนเพื่อเตรียมหลอดไฟ LED กำลังสูง แหล่งกำเนิดแสง การกระจายความร้อน โครงสร้างรูปร่าง ฯลฯ ถูกรวมไว้ในโมดูลทั้งหมด และโมดูลต่างๆ จะเป็นอิสระจากกัน สามารถเปลี่ยนโมดูลใดๆ แยกกันได้ เมื่อชิ้นส่วนล้มเหลวจะต้องเปลี่ยนเฉพาะโมดูลที่ผิดพลาดเท่านั้น เปลี่ยนหลอดไฟทั้งดวง
2. ปรับปรุงการนำความร้อนของชิปและลดชั้นอินเทอร์เฟซความต้านทานความร้อน ซึ่งเกี่ยวข้องกับการกระจายความร้อนแบบเร่ง เช่น โหมดโครงสร้างของระบบการจัดการระบายความร้อน กลศาสตร์ของไหล และการใช้งานทางวิศวกรรมของวัสดุนำความร้อนสูง
3. โหมด"การรวมการกระจายความร้อนด้วยชิป (โครงสร้างสองชั้น)" ไม่เพียงแต่เอาโครงสร้างพื้นผิวอะลูมิเนียมออกเท่านั้น แต่ยังวางชิปหลายตัวโดยตรงบนฮีตซิงก์เพื่อสร้างโมดูลแบบหลายชิปและแหล่งกำเนิดแสงเดียว ซึ่งเตรียมเป็นหลอดไฟ LED กำลังไฟฟ้าขนาดใหญ่ในตัว แหล่งกำเนิดแสงเป็นแหล่งกำเนิดแสงเดียว ซึ่งเป็นแหล่งกำเนิดแสงพื้นผิวหรือแหล่งกำเนิดแสงคลัสเตอร์
