วัสดุเซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้กันทั่วไปในการผลิตไฟ LED
แหล่งกำเนิดแสง LED คือทางแยก PN ทำอย่างไร? วัสดุเซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้กันทั่วไปในการผลิตไฟ LED คืออะไร?
โครงสร้างที่สำคัญของไดโอดเปล่งแสงคือจุดต่อเซมิคอนดักเตอร์ PN เมื่อแรงดันไปข้างหน้าถูกนำไปใช้กับทางแยก PN จะมีการฉีดพาหะส่วนน้อยและการรวมตัวใหม่ของพาหะส่วนน้อยเป็นกลไกการทำงานของไดโอดเปล่งแสง ชุมทาง PN หมายถึงโครงสร้างที่มีบริเวณ P และ N ที่อยู่ติดกันในผลึกเดี่ยว โดยปกติแล้วจะเกิดขึ้นจากการแพร่กระจาย การฝังไอออน หรือการเติบโตของผลึกที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้าประเภทหนึ่งเพื่อสร้างชั้นบางๆ ของการนำไฟฟ้าอีกประเภทหนึ่ง ชั้นถูกสร้างขึ้น ถ้า LED สีน้ำเงินของซิลิกอนคาร์ไบด์เกิดจากการฝังไอออน GaAs, GaAs0.60P0.40/GaAs{{10} }.35P0.65: N/GaP, GaAs0.15P0.85: N/GaP, GaP: ZnO/GaP ถูกสร้างขึ้นโดยวิธีการแพร่กระจาย อินฟราเรด สีแดง สีส้ม สีเหลือง ไฟ LED สีแดง ในขณะที่ GaAlAs, InGaN, InGaAlP สูงมาก LED ความสว่างทั้งหมดทำจากจุดแยกการเติบโต GaAs, GaP:ZnO/GaP และ GaP:N/ GaP LEDPN ทางแยกยังสร้างด้วยทางแยกที่โตแล้ว เมื่อเทียบกับวิธีการแพร่และวิธีการฝังไอออน โดยทั่วไปแล้วจุดต่อการเจริญเติบโตจะถูกชดเชยมากเกินไปเพื่อสร้างจุดต่อ PN และสิ่งสกปรกที่ไร้ประโยชน์มีมากเกินไป ส่งผลให้คุณภาพคริสตัลลดลง ข้อบกพร่องเพิ่มขึ้น และการใช้งานเพิ่มขึ้น ของการรวมตัวที่ไม่ใช่การแผ่รังสีทำให้ประสิทธิภาพการส่องสว่างลดลง
วัสดุเซมิคอนดักเตอร์ที่ใช้กันทั่วไปในการผลิตไฟ LED ส่วนใหญ่ประกอบด้วยวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ผสม III-V เช่น แกลเลียมอาร์เซไนด์ แกลเลียมฟอสไฟด์ แกลเลียมอะลูมิเนียม arsenide แกลเลียม arsenide ฟอสฟอรัส อินเดียมแกลเลียมไนไตรด์ อินเดียมแกลเลียมอลูมิเนียมฟอสฟอรัส ฯลฯ เช่นเดียวกับสารประกอบกลุ่ม IV เซมิคอนดักเตอร์ ซิลิกอนคาร์ไบด์, สารประกอบสังกะสีซีลีไนด์กลุ่ม II-VI เป็นต้น
